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金刚石基氮化镓将在下一代功率器件中大展拳脚_百
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（HEMT）器件具有出色的电气特性，是替代高压和高开关频率电机控制应用中MOSFET和IGBT的理想器件。百
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,砂带,砂圈,切割片,磨片GaN是一种宽禁带材料，其禁带（电子从价带跃迁到导带所需
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8家主流汽车零部件企业第三季度在华新投建基地及产能规划一览_百
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,砂带,砂圈,切割片,磨片进展/规划：开始投产7月18日，科技公司大陆集团宣布在中国芜湖的动力总成工厂扩建开业。 该厂第一阶段的土地和建筑投资近2800万欧元，总建筑面积超过24,000
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